深圳市凯河芯科技有限公司

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GD25LQ256DW闪存存储器
GD25LQ256DW闪存存储器
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GD25LQ256DW闪存存储器

120 MHz:

存储容量 256Mb(32M x 8)

GD25LQ256DW:

FLASH - NOR

封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘:

电压 - 供电 1.65V ~ 2V

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA):

供应商器件封装 8-WSON(5x6)

产品信息

产品属性
类型
描述
选择 
类别
集成电路(IC)
存储器
制造商
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
定制卷带
零件状态
不适用于新设计
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NOR
存储容量
256Mb(32M x 8)
存储器接口
SPI - 四 I/O
时钟频率
120 MHz
写周期时间 - 字,页
2.4ms
电压 - 供电
1.65V ~ 2V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
8-WSON(5x6)
基本产品编号
GD25LQ256
产品图片  

环境与出口分类
属性 描述
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 3(168 小时)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

Serial Flash产品特点:

单电压供电

3V产品供电电压范围:2.7V~3.6V
1.8V产品供电电压范围:1.62V~1.98V
四输入/输出口(Quad I/O)
通过四输入/输出口功能可以使传输速率有效的提高至Z大480Mbps
数据保持时间20年
擦写次数可达10万次
工作温度范围 -40℃~+85℃
易于管理的架构
每4K bytes为一个Sector
每32K/64K bytes为一个Block
能够以Block和Sector为单位执行擦除(Erase)操作
每256 bytes为一个Page
能够以Page为单位执行写(Program)操作